dor_id: 40785

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3212/3180

100.1.#.a: Peykov, P.; Aceves, M.; Diaz, T.

524.#.#.a: Peykov, P., et al. (2004). Analyse of the lateral surface generation in MOS structures. Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 1: 1-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/40785

245.1.0.a: Analyse of the lateral surface generation in MOS structures

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2004

264.#.1.c: 2004-01-01

653.#.#.a: MOS structures; generation lifetime; surface generation velocity

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2004-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3212

001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/3212

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: In the measurements of the generation lifetime, using the method of Zerbst, an effective generation lifetime is measured. According to the model used, this parameter includes the real generation lifetime, surface generation velocity at the depleted lateral space charge region and the diameter of the gate. In this paper is shown that not all but part of the lateral space charge region is fully depleted during the time of measurement. A correction of the model, taking into account the contribution of surface generation velocity only on the depleted lateral space charge region to the generation process, is proposed. The influence of this correction on the generation lifetime obtained by the method of Zerbst is shown.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 1 (2004): 1-0

773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

handle: 00a14c8d859fb642

harvesting_date: 2020-09-23 00:00:00.0

856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

license_url: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es

license_type: by-nc-nd

_deleted_conflicts: 6-b3870279d73a2b3ae0c05cc58c181abf,2-ca756344150bb79eb117908b00c1b272

No entro en nada

No entro en nada 2

Artículo

Analyse of the lateral surface generation in MOS structures

Peykov, P.; Aceves, M.; Diaz, T.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Facultad de Ciencias, UNAM
Revista
Repositorio
Contacto
Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Peykov, P., et al. (2004). Analyse of the lateral surface generation in MOS structures. Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 1: 1-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/40785

Descripción del recurso

Autor(es)
Peykov, P.; Aceves, M.; Diaz, T.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Analyse of the lateral surface generation in MOS structures
Fecha
2004-01-01
Resumen
In the measurements of the generation lifetime, using the method of Zerbst, an effective generation lifetime is measured. According to the model used, this parameter includes the real generation lifetime, surface generation velocity at the depleted lateral space charge region and the diameter of the gate. In this paper is shown that not all but part of the lateral space charge region is fully depleted during the time of measurement. A correction of the model, taking into account the contribution of surface generation velocity only on the depleted lateral space charge region to the generation process, is proposed. The influence of this correction on the generation lifetime obtained by the method of Zerbst is shown.
Tema
MOS structures; generation lifetime; surface generation velocity
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

Enlaces