Analyse of the lateral surface generation in MOS structures
Peykov, P.; Aceves, M.; Diaz, T.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
dor_id: 40785
506.#.#.a: Público
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561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
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336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
351.#.#.a: Artículos
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270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
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883.#.#.a: Revistas UNAM
590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural
883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/
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850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
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245.1.0.a: Analyse of the lateral surface generation in MOS structures
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 2004
264.#.1.c: 2004-01-01
653.#.#.a: MOS structures; generation lifetime; surface generation velocity
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884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3212
001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/3212
041.#.7.h: eng
520.3.#.a: In the measurements of the generation lifetime, using the method of Zerbst, an effective generation lifetime is measured. According to the model used, this parameter includes the real generation lifetime, surface generation velocity at the depleted lateral space charge region and the diameter of the gate. In this paper is shown that not all but part of the lateral space charge region is fully depleted during the time of measurement. A correction of the model, taking into account the contribution of surface generation velocity only on the depleted lateral space charge region to the generation process, is proposed. The influence of this correction on the generation lifetime obtained by the method of Zerbst is shown.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 1 (2004): 1-0
773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
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022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
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Peykov, P.; Aceves, M.; Diaz, T.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
Peykov, P., et al. (2004). Analyse of the lateral surface generation in MOS structures. Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 1: 1-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/40785