dor_id: 4107109

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/Vol.%2064%2C%20Issue%203%2C%20pp.%20254-260/99

100.1.#.a: Martin Alfonso, Juan Antonio; Sanchez, M.

524.#.#.a: Martin Alfonso, Juan Antonio, et al. (2018). Effect of GaN substrate thickness on the optical field of InGaN lasers diodes. Revista Mexicana de Física; Vol 64, No 3 May-Jun: 254-260. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4107109

245.1.0.a: Effect of GaN substrate thickness on the optical field of InGaN lasers diodes

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2018

264.#.1.c: 2018-04-30

653.#.#.a: Optical field leakage, Numerical simulation, InGaN laser diodes, GaN substrates

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2018-04-30, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/Vol.%2064%2C%20Issue%203%2C%20pp.%20254-260

001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/25

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: In this work the influence of GaN substrate thickness on the near and far-field patterns of InGaN lasers structures is analyzed. In simulation a conventional separate confinement heterostructure of InGaN-MQW GaN AlGaN is considered. A fluctuating behavior is found, showing that for some values of the substrate thickness the near and far- field patterns can be optimized and there are critical values of the substrate thickness that produce the lowest values of the confinement factor and the higher values of the full wide half-maximum of the far field. It is also shown that by substituting the GaN contact layer by an AlxGa1-xN layer with a parabolic variation of the Al content it is possible to reduce the optical field leakage to substrate. Results indicated that properly choosing the thickness of the substrate and replacing the n-GaN contact layer by a graded-index (GRIN) AlxGa1-xN layer it is possible to improve both the confinement factor and Far field pattern in nitride lasers.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 64, No 3 May-Jun (2018): 254-260

773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

doi: https://doi.org/10.31349/RevMexFis.64.254

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856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

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