Electrical transport phenomena in nanostructured porous-silicon films
Vásquez A., M. A.; Romero Paredes, G.; Peña Sierra, Ram
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
dor_id: 4107765
506.#.#.a: Público
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561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
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336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
351.#.#.a: Artículos
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590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
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883.#.#.a: Revistas UNAM
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850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
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100.1.#.a: Vásquez A., M. A.; Romero Paredes, G.; Peña Sierra, Ram
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245.1.0.a: Electrical transport phenomena in nanostructured porous-silicon films
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
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264.#.1.c: 2018-10-31
653.#.#.a: Porous silicon films, metal-insulator-metal structures, Electrical characteristics, Space charge limited current (SCLC), VTFL, electronic transport in interface structures.
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2018-10-31, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/Vol.%2064%2C%20Issue%206%2C%20pp.%20559-565
001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/275
041.#.7.h: eng
520.3.#.a: The charge transport mechanisms in nanostructured porous silicon (PS) films were studied through current-voltage (I-V) measurements of planar Au/PS/Au structures at 300 K. The films were formed by electrochemical etching of 1-5 Ω-cm p-type Si (100) wafers producing PS layers of 4.48 x 109 Ω-cm. The charge transport is limited both by the space charge limited currents (SCLC) and the carrier trapping-detrapping kinetics in the inherent localized PS energy levels. I-V characteristics evolve according to the trapping-detrapping carrier kinetics in the PS films showing that the electrical current can be controlled by applying external electric fields. An equivalent trap filling limiting voltage (VTFL) was identified that shifts between 1 and 3 volts by the carrier trapping-detrapping kinetics from the PS intrinsic defect states. An energy band diagram for the PS films is schematically depicted including the influence of the intrinsic PS defect states. To give a reasonable explanation of the found behavior the existence of a thin silicon oxide film covering the network-like-silicon-nanocrystallites is required, in agreement with the widely accepted PS structural models.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 64, No 6 Nov-Dec (2018): 559-565
773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
310.#.#.a: Bimestral
264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.
758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
doi: https://doi.org/10.31349/RevMexFis.64.559
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last_modified: 2020-11-27 00:00:00
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Vásquez A., M. A.; Romero Paredes, G.; Peña Sierra, Ram
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
Vásquez A., M. A., et al. (2018). Electrical transport phenomena in nanostructured porous-silicon films. Revista Mexicana de Física; Vol 64, No 6 Nov-Dec: 559-565. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4107765