Electronic band structure of (001)–semiconductor surfaces: the frontier–inducedsemi–infinite–medium states
Baquero , R.; Olguín , D.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
dor_id: 41015
506.#.#.a: Público
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336.#.#.3: Artículo de Investigación
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351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
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590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
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270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
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850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
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100.1.#.a: Baquero , R.; Olguín , D.
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245.1.0.a: Electronic band structure of (001)–semiconductor surfaces: the frontier–inducedsemi–infinite–medium states
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 2003
264.#.1.c: 2003-01-01
653.#.#.a: Electronic states; surface resonances tight; binding method
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2003-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/13862
041.#.7.h: eng
520.3.#.a: In previous work we have discussed the valence band electronic structure of the (001) oriented semi–infinite medium of the II–VI wide band gap zinc–blende semiconductor compounds. We have found three characteristic surface resonances besides the known bulk bands (heavy hole, light hole and spin–orbit bands). Two of these resonances correspond to the anion–terminated surface and the third one to the cation terminated surface. Furthermore, we have shown that three non dispersive (001)–surface–induced bulk states, in the Γ − K direction of the 2D Brillouin zone, are also characteristic of these systems. To identify these states, from other known surface states, we have called them frontier–induced semi–infinite–medium states. In order to continue with the description of these systems, we review the main characteristics of the electronic structure of the (001)–surfaces and we present a detailed theoretical discussion of the frontier–induced semi–infinite–medium states. We use tight binding Hamiltonians and the well–known Surface Green’s Function Matching method to calculate the electronic surface band structure.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 001 (2003)
773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
310.#.#.a: Bimestral
264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.
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Baquero , R.; Olguín , D.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
Baquero , R., et al. (2003). Electronic band structure of (001)–semiconductor surfaces: the frontier–inducedsemi–infinite–medium states. Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 001. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41015