dor_id: 40994
506.#.#.a: Público
590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.
510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)
561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article
336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
351.#.#.a: Artículos
harvesting_group: RevistasUNAM
270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/
883.#.#.a: Revistas UNAM
590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural
883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/
883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM
850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
856.4.0.u: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/13899/13236
100.1.#.a: Díaz Arencibia, P.; Prutskij , Tatiana A.; Silva , F.; Mintairov , A.; Merz , J.
524.#.#.a: Díaz Arencibia, P., et al. (2003). Estudio de fotominiscencia de películas de ingap crecidas sobre substratos de gaas por el método de epitaxia de fase liquida. Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 003. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/40994
245.1.0.a: Estudio de fotominiscencia de películas de ingap crecidas sobre substratos de gaas por el método de epitaxia de fase liquida
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 2003
264.#.1.c: 2003-01-01
653.#.#.a: Epitaxia De Fase Líquida; Soluciones Sólidas Iii-v; Fotoluminiscencia
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2003-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/13899
041.#.7.h: spa
520.3.#.a: En el presente trabajo se estudian las propiedades luminiscentes de películas delgadas de ingap crecidas por el método de epitaxia de la fase líquida (efl) sobre substratos de gaas. las mediciones de fotoluminiscencia (fl) se realizaron en un amplio intervalo de temperaturas (4 ” 250 k) y de intensidades de la radiación de excitación (4 órdenes de magnitud). Así mismo, la señal de fl ha sido analizada en dos direcciones perpendiculares de polarización las cuales coinciden con las direcciones [011] y [011] del plano del substrato. Se ha encontrado que el aporte principal al espectro a bajas temperaturas (4k) lo da la transición donador-aceptor, mientras que a altas temperaturas (250k) la transición banda-banda. las dependencias con la intensidad de excitación muestran un comportamiento característico para la recombinación donador-aceptor. la diferencia en la posición del máximo de pico de fl para distintas polarizaciones se atribuye a la separación de las bandas de valencia de huecos ligeros y pesados inducida por la deformación de la estructura cristalina de la película, cuya constante de red no se acopla reticularmente a la del substrato. Además la diferencia entre la forma de los espectros para distintas polarizaciones indica la presencia de anisotropía para distintas direcciones cristalinas.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 003 (2003)
773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
310.#.#.a: Bimestral
264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.
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