Fabricación y caracterización de diodos electro-luminiscentes de silicio poroso
Romero Paredes R., G.; Peña Sierra, R.; Castillo Cabrera.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
dor_id: 41166
506.#.#.a: Público
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561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
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336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
351.#.#.a: Artículos
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270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
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883.#.#.a: Revistas UNAM
590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural
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850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
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100.1.#.a: Romero Paredes R., G.; Peña Sierra, R.; Castillo Cabrera.
524.#.#.a: Romero Paredes R., G., et al. (2002). Fabricación y caracterización de diodos electro-luminiscentes de silicio poroso. Revista Mexicana de Física; Vol 48, No 2: 92-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41166
245.1.0.a: Fabricación y caracterización de diodos electro-luminiscentes de silicio poroso
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 2002
264.#.1.c: 2002-01-01
653.#.#.a: Películas de silicio poroso; diodos electroluminiscentes; fotoluminiscencia
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2002-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3038
001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/3038
041.#.7.h: spa
520.3.#.a: Se fabricaron diodos electroluminiscentes (del´s) usando películas delgadas de silicio poroso (sp). Los del´s están constituidos por una unión metal-semiconductor formada por un contacto de oro y una película de sp con porosidad de 50 %. La longitud de onda de emisión de los dispositivos está situada en la región visible del espectro electromagnético. Se reportan los resultados del estudio de la fotoluminiscencia de las películas de sp y las características de la emisión de los del´s. El máximo del espectro de emisión fotoluminiscente está situado en 800 nm y para la señal de electroluminiscencia está en 560 nm. El origen de la emisión electroluminiscente se asocia a la recombinación. Radiativa en el óxido de silicio que recubre los filamentos de sp.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 48, No 2 (2002): 92-0
773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
310.#.#.a: Bimestral
264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.
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Romero Paredes R., G.; Peña Sierra, R.; Castillo Cabrera.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
Romero Paredes R., G., et al. (2002). Fabricación y caracterización de diodos electro-luminiscentes de silicio poroso. Revista Mexicana de Física; Vol 48, No 2: 92-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41166