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Artículo

Influence of baking on the photoluminescence spectra of in11x xgaxasyp11y solid solutions grown on inp substrates

Nieto Navarro, J.; Mishurnyi , V.A.; Anda , F. De; Gorbatchev A., Yu

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Nieto Navarro, J., et al. (2004). Influence of baking on the photoluminescence spectra of in11x xgaxasyp11y solid solutions grown on inp substrates. Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 003. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41194

Descripción del recurso

Autor(es)
Nieto Navarro, J.; Mishurnyi , V.A.; Anda , F. De; Gorbatchev A., Yu
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Influence of baking on the photoluminescence spectra of in11x xgaxasyp11y solid solutions grown on inp substrates
Fecha
2004-01-01
Resumen
The influence of thermal treatments on the photoluminescence spectra of In1−xGaxAsyP1−yepitaxial layers of various compositions grown by LPE on InP substrates has been studied. To prevent the epitaxial layers from degradation, due to phosphor evaporation during the baking, their surface was covered by spin-on SiO2 layers. The photoluminescence spectra did not change for solid solutions whose compositions were near InP and InGaAs. For compositions in the middle of the lattice-matched region, the variations were very noticeable because the appearance of additional peaks in the luminescence spectra. This could be related to the decomposition of those solid solutions whose compositions lie inside a theoretically predicted miscibility gap.
Tema
InGaAsP; solid solution; miscibility gap; decomposition and photoluminescence
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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