dor_id: 4107228

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3240/3208

100.1.#.a: Yee Rendón, C. M.; López López, M.; Meléndez Lira.

524.#.#.a: Yee Rendón, C. M., et al. (2004). Influence of indium segregation on the light emission of piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 2: 193-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4107228

245.1.0.a: Influence of indium segregation on the light emission of piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2004

264.#.1.c: 2004-01-01

653.#.#.a: Quantum wells; piezoelectric field; Indium segregation

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2004-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3240

001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/3240

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: Pseudomorphic In 0.2 Ga 0.8 As/GaAs quantum wells (QWs) were grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs substrates oriented along the (11n) direction, with n=1,2,3,4. The optical and structural properties of the heterostructures were studied by photoluminescence spectroscopy (PL) at 14, 77 and 300 K, and atomic force microscopy (AFM) measurements. The emission wavelength from the QWs has two contributions, a blue shift due to the compressive strain, and a red shift due to the quantum confined Stark effect produced by the piezoelectric field present in these materials. A traditional theoretical interpretation of the QWs emission employing a simple well model shows discrepancies with the experimental results. In order to satisfactorily explain the emission wavelength we proposed to include segregation effects of In at the wells interfaces. The matrix transfer method was implemented to solve numerically the Schrödinger equation taking into account In segregation effects by including an asymmetric potential well with a profile depending on the details of the In incorporation. With segregation effects included in the emission calculations, the theoretical predictions reproduce very well the experimental values of PL emission. Our results demostrate that in order to have efficient InGaAs QWs-based optoelectronic devices is very important to take into account interfacial segregation effects.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 2 (2004): 193-0

773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

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856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

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