dor_id: 4107228
506.#.#.a: Público
590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.
510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)
561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article
336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
351.#.#.a: Artículos
harvesting_group: RevistasUNAM
270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/
883.#.#.a: Revistas UNAM
590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural
883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/
883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM
850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3240/3208
100.1.#.a: Yee Rendón, C. M.; López López, M.; Meléndez Lira.
524.#.#.a: Yee Rendón, C. M., et al. (2004). Influence of indium segregation on the light emission of piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 2: 193-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4107228
245.1.0.a: Influence of indium segregation on the light emission of piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 2004
264.#.1.c: 2004-01-01
653.#.#.a: Quantum wells; piezoelectric field; Indium segregation
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2004-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3240
001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/3240
041.#.7.h: eng
520.3.#.a: Pseudomorphic In 0.2 Ga 0.8 As/GaAs quantum wells (QWs) were grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs substrates oriented along the (11n) direction, with n=1,2,3,4. The optical and structural properties of the heterostructures were studied by photoluminescence spectroscopy (PL) at 14, 77 and 300 K, and atomic force microscopy (AFM) measurements. The emission wavelength from the QWs has two contributions, a blue shift due to the compressive strain, and a red shift due to the quantum confined Stark effect produced by the piezoelectric field present in these materials. A traditional theoretical interpretation of the QWs emission employing a simple well model shows discrepancies with the experimental results. In order to satisfactorily explain the emission wavelength we proposed to include segregation effects of In at the wells interfaces. The matrix transfer method was implemented to solve numerically the Schrödinger equation taking into account In segregation effects by including an asymmetric potential well with a profile depending on the details of the In incorporation. With segregation effects included in the emission calculations, the theoretical predictions reproduce very well the experimental values of PL emission. Our results demostrate that in order to have efficient InGaAs QWs-based optoelectronic devices is very important to take into account interfacial segregation effects.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 2 (2004): 193-0
773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
310.#.#.a: Bimestral
264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.
758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
handle: 4bc68bd1f4c440a7
harvesting_date: 2020-09-23 00:00:00.0
856.#.0.q: application/pdf
last_modified: 2020-11-27 00:00:00
license_url: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es
license_type: by-nc-nd
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