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doi: https://doi.org/10.31349/RevMexFis.64.251

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No entro en nada

No entro en nada 2

Artículo

Planar waveguides produced by implanting Si and C ions in rutile

Mejía Morales, Julián; Flores Romero, Erick; Trejo Luna, Rebeca; Rickards, Jorge

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

Licencia de uso

Procedencia del contenido

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Mejía Morales, Julián, et al. (2018). Planar waveguides produced by implanting Si and C ions in rutile. Revista Mexicana de Física; Vol 64, No 3 May-Jun: 251-253. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4108100

Descripción del recurso

Autor(es)
Mejía Morales, Julián; Flores Romero, Erick; Trejo Luna, Rebeca; Rickards, Jorge
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Planar waveguides produced by implanting Si and C ions in rutile
Fecha
2018-04-30
Resumen
Planar waveguides were generated in samples of rutile crystal (TiO2) by bombarding with two typesof ion: silicon and carbon. Rutile is used because of its anisotropic properties, particularly its birefrin-gence. The guide is generated due to damage caused by the ions in the crystal which change its index ofrefraction. Three parameters were used: the implantation ion energy, the implantation uence, and theorientation of the crystallographic planes. The refractive index prole of the irradiated sample was cal-culated and together with the value of the optical barrier the comparison was made between the dierentwaveguides generated.
Tema
Optical Waveguides, Ion Implantation, Rutile, Important Optical properties of Crystals, Various Crystal Faces, Ions, Fluences, Two Dierent Ions-Damage, Reduce Fluence With Si Ions.
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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