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Artículo

Refractive index changes in n-type delta-doped GaAs under hydrostatic pressure

Oubram, O.; Rodríguez Vargas, I.; C.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Oubram, O., et al. (2014). Refractive index changes in n-type delta-doped GaAs under hydrostatic pressure. Revista Mexicana de Física; Vol 60, No 2 Mar-Apr: 161-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4107400

Descripción del recurso

Autor(es)
Oubram, O.; Rodríguez Vargas, I.; C.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Refractive index changes in n-type delta-doped GaAs under hydrostatic pressure
Fecha
2014-01-01
Resumen
The effect of hydrostatic pressure on the refractive index changes (RIC) is studied in \δ-doped quantum well (DDQW) in GaAs. Based on the effective mass approximation we implement an algebraic formalism to calculate the electronic structure and RIC. Our results obtained with this model show that the position and the magnitude of the linear, nonlinear and total RIC are sensitive to hydrostatic pressure and bidimensional density. The incident optical intensity has a great effect on these optical quantities.
Tema
Refractive index changes linear, nonlinear; hydrostatic pressure; -doped quantum wells
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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