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Artículo

The binding energy of donor impurities in gaas quantum dots under the pressure effect

Pérez Merchancano, S. T.; Silva Valencia, J.; Bolívar Martínez, L. E.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

Licencia de uso

Procedencia del contenido

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Pérez Merchancano, S. T., et al. (2007). The binding energy of donor impurities in gaas quantum dots under the pressure effect. Revista Mexicana de Física; Vol 53, No 006. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41436

Descripción del recurso

Autor(es)
Pérez Merchancano, S. T.; Silva Valencia, J.; Bolívar Martínez, L. E.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
The binding energy of donor impurities in gaas quantum dots under the pressure effect
Fecha
2007-01-01
Resumen
Calculations of the binding energy of an on-center and off-center shallow hydrogenic impurity in a GaAs quantum dot under hydrostatic pressure are presented. The variational approach within the effective mass approximation is used as the framework for this calculation. The effect of the pressure is to exert an additional confinement on the impurity inside the dot; therefore the binding energy increases for any dot radius and impurity position. We also found that the binding energy depends on the location of the impurity and the pressure effects are less pronounced for impurities on the edge.
Tema
Quantum dot; impurity; hydrostatic pressure
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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